【大纪元8月30日报导】(中央社记者张良知台北三十日电)由于旺季需求迟未出现及回补买盘观望，DRAM(动态随机存取记忆体)及NANDFlash (NAND型快闪记忆体) 8月底报价续跌，主流规格产品跌幅在0.15%至6.66%间；记忆体模组及成卡厂商，持续等待京奥后及返校前的补货需求，期盼旺季回春效应显现。

根据集邦科技 (DRAMeXchange)报价资讯，8月下旬NAND Flash合约价最大跌幅达 13%，主要原因是市场仍在等待 8月以后的传统旺季需求回温，致使买方仍多持观望态度，造成市场买气清淡， 8月下旬合约价格持续疲软。

此外， NAND Flash主要供应商中 ， 除了 海力士Hynix再次将2008年的产出成长目标，由90%至100%调降到 50%至60%外，其他主要厂商对其原先设定的 2008年NAND Flash位元产出成长目标变动不大，因此集邦预期2008年NAND Flash年供给量成长率将由2007年的144%微幅增加到146%，今年仍是呈现供过于求。

目前传统第三季的旺季已过了三分之二，加上目前对第四季的旺季情况能见度仍低，因此市场也对 8月后的北京奥运后补货需求，以及欧美暑假后的返校需求抱持较审慎的态度。业者预期，NAND Flash价格须等到传统旺季的备货需求到来，才可望使价格止稳反弹，目前上下游厂商均在等待需求的引爆点出现。

NAND Flash晶片大厂群联电子 (8299)于8月下旬，也继三星电子、新帝（Sandisk）等国际大厂看淡NANDFlash市况后，对NAND Flash产业提出保守看法。群联总经理潘健成表示，Flash市况不佳，景气谷底还要再熬4、5个月，“要有过苦日子”的心理准备。

不过，潘健成也认为，NAND Flash产业这次可说是一次谷底洗牌的机会，目前群联的策略是以快速的周转率来争取累积现金流量，若群联现金水位足够，就可以抓紧谷底的机会，等待Flash的买点。

集邦科技指出，今年第二季NAND Flash相关产品的受到次贷风暴的影响，整体旺季需求可能不如往年的成长幅度，可能会递延到第三季末期后，才会开始逐渐回温。

从另一个角度来看，由于自2007年第三季中期的高点至2008年8月，主流 NAND Flash产品累计价格跌幅已逾80%，预期此一低价效应也将有助于 NAND Flash厂商在旺季进一步刺激消费市场买气。

在DRAM方面，由于模组厂及通路商手中库存水位仍在4至6周左右，OEM电脑大厂 DRAM库存则更高，因此，年底前若无突发性的需求出现，DRAM现货及合约价持续走跌趋势明确，模组厂自去年底至今年上半年所一直期盼的旺季需求，可能落空。

目前主要DRAM大厂间的产业策略联盟及整并动作持续，但模组厂指出，至目前为止，只看到各厂商间策略联盟关系的洗牌，并没有DRAM厂停产或减产，所以这波DRAM景气空头可能将会延续到明年，一直到有DRAM厂退出、减产或市场需求强劲回升，景气才有机会反转。

整体来看，包括DRAM及NAND Flash相关上下游厂商，目前均未感受到明显的旺季需求，使供过于求或库存待消化的情况尚未改善，加上第四季产业不确定因素仍多，因此买方为控制库存水位，在采购上也采取比较谨慎的观望态度。

业者认为，消费性市场及返校需求能否增温，攸关DRAM库存消化及下游厂商对NAND Flash补货的意愿，预期NAND Flash市场要随着低价效应激发出传统旺季的买气后，价格才有机会随着旺季备货需求回温，而能止稳及小幅反弹。